9月25-27日，第十二屆半導體（tǐ）設備年會（CSEAC 2024）在無錫（xī）太湖國際博覽中心盛大召開。

作為先導集團在半導體高端前道設備領域的關鍵布局、先導集成電路裝備與零部件材料產業園的（de）核心（xīn）企業，天（tiān）芯微攜旗下Compass HP 平台12寸矽基減壓（yā）、常壓外（wài）延解決方案以及最新的深矽刻蝕方案亮相本次大（dà）會，受到產業鏈上（shàng）下遊（yóu）廣泛關注。同時，先導集（jí）團董事長王燕清也受邀出席大會，並發表主題演講。

隨著集成電路製造向更小特征線寬尺（chǐ）寸發展，以先（xiān）進邏輯芯片和（hé）存儲器件為代表的產品對製造工藝要（yào）求也不斷提升，各種新的外（wài）延工藝應用場景層出不窮，對外延係統的功能提出了更高（gāo）的要求。

基於Compass HP平台，天芯微在國內率先推出了（le）完全國產自主化的12寸矽基減壓（yā）外延設備Epi RP 300 Compass HP以及矽基常壓外延設備Epi ATM 300 Compass HP，滿足晶圓廠對先進器件製造的需求。

Epi RP 300 Compass HP是先進（jìn）製程外延（yán）工藝的創新解決（jué）方案，應用於邏輯芯片、功率及存儲器件製造，適用於矽、矽鍺、矽磷等材料的外延生長（zhǎng）。創新（xīn）的Compass HP平台可（kě）靈活配置多（duō）個外延腔，集成至多2個預清洗（xǐ）腔，滿足差（chà）異化的產能需求和工藝要求。

Epi ATM 300 Compass HP適用於大矽片、功率器件和（hé）MEMS等外（wài）延工藝需求，憑借天芯微自主研發的壓（yā）控FRC技術及獨立多區進氣模組，帶來了更高效的沉積速率和更可觀的膜厚及（jí）均一（yī）性。該設備同樣繼承了天芯（xīn）微Compass HP平台靈活的生產配置能力。

近年來（lái），人工智能、高性能算力等（děng）快速發展，對上遊器件要求不斷提升，2.5D&3D等先進封裝技術憑借其高集成度帶來卓越的性（xìng）能和互聯互（hù）通，TSV（矽通（tōng）孔）技術在其中起到關鍵作用。

針對產業發展趨勢和市場不斷增加的需求，天芯（xīn）微自主研（yán）發（fā）了旗下首（shǒu）款深（shēn）矽刻蝕設（shè）備V8 Etch，可實現高深寬比的TSV（矽通孔）和溝槽刻蝕，可應（yīng）用於（yú）2.5D&3D封裝、CMOS圖像傳感器（CIS）、深溝（gōu）槽隔離（DTI）、深溝槽電（diàn）容（DTC）、功（gōng）率（lǜ）器件矽溝槽刻蝕、MEMS 溝槽刻蝕等領域，為產業界提供（gòng）了（le）國（guó）產化創新解決方案。

V8 Etch 應用了多種先（xiān）進設計，如分區進氣係（xì）統、對稱（chēng）腔體結構、高功率等離子源、快速氣體切換係統、和準確離子能量（liàng）控製等，為工藝提供了更多的（de）可能性和可調性。

未來，天芯微將（jiāng）持（chí）續聚焦市場需求，強化技術（shù）創新和產品研發，積極拓展半導體製造高端設備領域，為產業發展升級注入活力，助力半導體（tǐ）國產裝備的自主化之（zhī）路。

先導集團董事長（zhǎng）王燕清（qīng）：全球（qiú）AI浪（làng）潮（cháo）下，半導體國產裝備的（de）自主之（zhī）路

本（běn）次大會，先導集團董事（shì）長王燕清受邀發表（biǎo）了《全球AI浪潮下，半導體（tǐ）國產（chǎn）裝備的自主（zhǔ）之路》演講，分享了先（xiān）導在半導體裝備領域的戰略規劃和自主之路。

王燕（yàn）清董事長表示，在全球AI浪潮如火如（rú）荼發展的當下，國產半導體裝備將迎來新的發展機遇。天芯（xīn）微等先導集成電路裝備與零部件（jiàn）、材料產業園的園內企業，在著力於提（tí）升國產（chǎn）設備質量與性能的同時，將進一步發揮本土化響（xiǎng）應優勢，提供定製化服務，縮短設備交付周（zhōu）期，助力國（guó）產設備實現從“能用”到“好用（yòng）”的飛（fēi）躍。不（bú）僅如此，先導集團在助力半導體裝備實現國產化替代的自主之路（lù）上，還將把握“聚焦技術引（yǐn）領、人才培養、和聚焦平台”等“三個聚（jù）焦”，堅定落實“三個1”方針（zhēn），為中國半導體產業的發展提供強（qiáng）有力的支撐。